圖4 - 68 (a)是由單結(jié)晶體管組成的脈沖產(chǎn)生電路，由它產(chǎn)生的脈沖，可以用來觸晶閘管。IRFP250MPBF在圖4 - 68 (a)中，單結(jié)晶體管和RC元件組成充放電回路，其中，Ri是負(fù)載電阻，R2是溫度補(bǔ)償電阻。接通電源后，在電容C兩端可以獲得連續(xù)的鋸齒波電壓，在電阻R．兩端可以輸出正的觸發(fā)脈沖，圖(b)是輸出脈沖的波形，這種脈沖單元電路又叫弛張振蕩器。圖(c)是單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性圖。當(dāng)UE上升到UP時(shí)產(chǎn)生電流IP，UP是單結(jié)晶體管所加的最高電壓，稱為峰點(diǎn)電壓，與此對(duì)應(yīng)的昂稱為峰點(diǎn)電流。

   此后，進(jìn)入負(fù)阻區(qū)，UP迅速降低，耳逐漸增大。當(dāng)電壓降至U。時(shí)，稱為谷點(diǎn)，Uu稱為谷點(diǎn)電壓，J。稱為谷點(diǎn)電流。UP、I，和U。、J。，是單結(jié)晶體管的重要參數(shù)，它決定了單結(jié)體管的工作狀態(tài)。

   脈沖振蕩電路的脈沖形成的分析為，接通電源開關(guān)K，則有兩路電流流通。一路為電流工R，該電流經(jīng)電阻R對(duì)電容C充電，起始充電電流為I。。=EBB／R，充電時(shí)間常數(shù)r—RC，電容C上的電壓U。按指數(shù)規(guī)律上升。另一路電流IBB，該電流從R2經(jīng)Bz、B，流向R，其數(shù)值為

   IBB一EBB／(R2 +RBB  +R1)

   IBB -般只有幾mA。在電容上的電壓上升到管子的峰值電壓UP以前，單結(jié)晶體管截止，在圖4 - 68 (b)的波形圖上表現(xiàn)為U。處于充電過程，Ri兩端沒有脈沖輸出。

   當(dāng)U。上升到等于UP時(shí)，管子E-B．結(jié)突然導(dǎo)通，電容C通過E-Bi結(jié)和Ri回路放電，由于管子導(dǎo)通后RB1急劇減小，R．又很�。ㄒ话阒挥袔资綆装贇W姆），所以起始放電電流很大，IE由幾微安躍變到幾十毫安，使Ri兩端的電壓UR1產(chǎn)生正跳變。

   隨著電容的放電，U。按指數(shù)規(guī)律迅速下降，當(dāng)降到谷點(diǎn)電壓U。時(shí)．管子又重新截止，放電過程結(jié)束，IE≈OA，Ri兩端的電壓出現(xiàn)負(fù)跳變，完成了一個(gè)脈沖過程。

   就在放電過程結(jié)束的瞬間，電源EBB又開始向電容C重新充電，開始了第二次充放電過程，產(chǎn)生第二個(gè)輸出脈沖。這樣周而復(fù)始地重復(fù)振蕩，就得到了如圖4 - 68 (a)所示的電容C上電壓U。的連續(xù)鋸齒波和負(fù)載電阻R，上電壓UR，的間斷尖頂脈沖波。