晶體管 IRF7832TRPBF MOSFET - 單

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類(lèi)別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：安富微（深圳）商貿(mào)有限公司

晶體管 IRF7832TRPBF MOSFET - 單屬性

晶體管 IRF7832TRPBF MOSFET - 單描述

IRF7832TRPBF介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包裝 帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類(lèi)型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 20A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 4 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.32V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4310pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 155°C（TJ）

安裝類(lèi)型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 8-SO

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：



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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來(lái)控制源極和泄極之間的電流。晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。



英飛凌在中國(guó)建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈。在研發(fā)方面，英飛凌在上海、西安建立了研發(fā)中心，利用國(guó)內(nèi)的人才資源，參與全球的重點(diǎn)項(xiàng)目研究;在無(wú)錫的后道生產(chǎn)工廠，為中國(guó)及全球其他市場(chǎng)生產(chǎn)先進(jìn)的芯片產(chǎn)品;2011年，英飛凌集成電路(北京)有限公司正式開(kāi)業(yè)，并在亦莊開(kāi)發(fā)區(qū)建立了專(zhuān)注于面向風(fēng)電高鐵等行業(yè)的IGBT模塊的制造。

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