晶體管 STT4P3LLH6 MOSFET - 單

晶體管 STT4P3LLH6 MOSFET - 單屬性

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晶體管 STT4P3LLH6 MOSFET - 單描述

STT4P3LLH6介紹：
描述 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
制造商標準提前期 38 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 30V 4A（Ta） 1.6W（Ta） SOT-23-6
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 DeepGATE™，STripFET™ H6
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 56 毫歐 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 639pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-6
封裝/外殼 SOT-23-6
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溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。

公司自1994年起公開上市，意法半導體股票在紐約證券交易所(交易代碼:STM)、泛歐巴黎證券交易所和意大利米蘭證券交易所掛牌上市。

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