晶體管 IRF5210STRLPBF MOSFET - 單

• 發(fā)布時間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：安富微（深圳）商貿(mào)有限公司

晶體管 IRF5210STRLPBF MOSFET - 單屬性

晶體管 IRF5210STRLPBF MOSFET - 單描述

IRF5210STRLPBF介紹：
描述 MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 38A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 60 毫歐 @ 38A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 230nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2780pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），170W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。

Infineon公司是全球十大半導(dǎo)體制造商之一。1999年5月1日，西門子半導(dǎo)體公司正式更名為Infineon，總部設(shè)在德國慕尼黑。主要生產(chǎn)汽車和工業(yè)電子芯片、保密及IC卡應(yīng)用IC、通訊多媒體芯片、存儲器件等。

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