晶體管 STL3NM60N FET-MOSFET

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：安富微（深圳）商貿(mào)有限公司

晶體管 STL3NM60N FET-MOSFET屬性

晶體管 STL3NM60N FET-MOSFET描述

STL3NM60N介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周

詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 600V 650mA（Ta），2.2A（Tc） 2W（Ta），22W（Tc） PowerFlat™（3.3x3.3）

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMicroelectronics

系列 MDmesh™ II

包裝 帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 650mA（Ta），2.2A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.8 歐姆 @ 1A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 188pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Ta），22W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PowerFlat™（3.3x3.3）

封裝/外殼 8-PowerVDFN

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