晶體管 NTHD3101FT1G MOSFET

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：安富微（深圳）商貿(mào)有限公司

晶體管 NTHD3101FT1G MOSFET屬性

晶體管 NTHD3101FT1G MOSFET描述

NTHD3101FT1G介紹：

描述 MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 32 周

詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 3.2A（Tj） 1.1W（Ta） ChipFET™

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包裝 帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 P 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3.2A（Tj）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 80 毫歐 @ 3.2A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 680pF @ 10V

FET 功能 肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 ChipFET™

封裝/外殼 8-SMD，扁平引線

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