晶體管 BSZ067N06LS3 G MOSFET - 單
晶體管 BSZ067N06LS3 G MOSFET - 單屬性
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晶體管 BSZ067N06LS3 G MOSFET - 單描述
BSZ067N06LS3 G介紹:
描述 MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 14A(Ta),20A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 14A(Ta),20A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 6.7 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 35μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 67nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),69W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TSDSON-8
封裝/外殼 8-PowerVDFN
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晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(active)元件。晶體管在當(dāng)今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力,因而可以不可思議地達到極低的單位成本。
英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構(gòu)。2012財年(截止到2012年9月份),公司實現(xiàn)銷售額39億歐元。
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