晶體管 SI7450DP-T1-E3 MOSFET - 單
晶體管 SI7450DP-T1-E3 MOSFET - 單屬性
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晶體管 SI7450DP-T1-E3 MOSFET - 單描述
SI7450DP-T1-E3介紹:
描述 MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 33 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 200V 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 3.2A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 80 毫歐 @ 4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.9W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK® SO-8
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8
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晶體管的低成本,靈活性和可靠性使得其成為非機械任務(wù)的通用器件,例如數(shù)字計算。在控制電器和機械方面,晶體管電路也正在取代電機設(shè)備,因為它通常是更便宜,更有效地僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務(wù),使用電子控制,而不是設(shè)計一個等效的機械控制。
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