2N7002E-T1-E3
2N7002E-T1-E3屬性
- 特價(jià)
- MOSFET 60V 0.24A
- MOSFET 60V 0.24A
- 特價(jià)
- Vishay
2N7002E-T1-E3描述
2N7002E-T1-E3
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 240 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 0.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
系列: 2N7002E
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 600 mS
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 18 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
零件號(hào)別名: 2N7002E-E3
單位重量: 8 mg
網(wǎng)站:www.cldzbest.com
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