SIR876ADP-T1-GE3
- 發(fā)布時間：2020/3/28 13:21:02
- 所屬類別：三極管 » 貼片/片式/SMD三極管
- 公 司：深圳市川藍電子科技有限公司
- 聯(lián) 系 人：彭小姐
SIR876ADP-T1-GE3屬性
- 特價
- MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
- MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
- 特價
- Vishay
SIR876ADP-T1-GE3描述
SIR876ADP-T1-GE3
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導通電阻: 9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 49 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 62.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
系列: SIR
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 54 S
下降時間: 8 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 28 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
零件號別名: SIR876ADP-GE3
單位重量: 506.600 mg
網(wǎng)站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
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聯(lián)系方式
- 聯(lián)系人：彭小姐
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