SIR422DP-T1-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類(lèi)別：三極管 » 貼片/片式/SMD三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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SIR422DP-T1-GE3屬性

SIR422DP-T1-GE3描述

SIR422DP-T1-GE3
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 48 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 34.7 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
系列: SIR
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 70 S
下降時(shí)間: 11 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 84 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 28 ns
典型接通延遲時(shí)間: 19 ns
零件號(hào)別名: SIR422DP-GE3
單位重量: 240 mg
網(wǎng)站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com

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