SPB77N06S2-12

• 發(fā)布時(shí)間：2022/2/17 10:35:33
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SPB77N06S2-12屬性

SPB77N06S2-12描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 26 ns
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 27 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 34 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
寬度: 9.25 mm
單位重量: 4 g

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