SPB80N03S2L-06
SPB80N03S2L-06屬性
- SPB80N03S2L-06
- INFINEON
SPB80N03S2L-06描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 61 ns
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 23 ns
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 73 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
寬度: 9.25 mm
單位重量: 4 g