STB85NF55T4

• 發(fā)布時(shí)間：2022/2/17 11:16:42
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

STB85NF55T4屬性

STB85NF55T4描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 150 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: STripFET
封裝: Reel
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時(shí)間: 35 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 120 S
高度: 4.6 mm
長(zhǎng)度: 10.4 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 100 ns
系列: STB85NF55
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 70 ns
典型接通延遲時(shí)間: 25 ns
寬度: 9.35 mm
單位重量: 4 g

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