SPB80N03S2-03 G
SPB80N03S2-03 G屬性
- SPB80N03S2-03 G
- INFINEON
SPB80N03S2-03 G描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 110 ns
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 325 ns
系列: SPB80N03
1000
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 90 ns
典型接通延遲時(shí)間: 22 ns
寬度: 9.25 mm
零件號(hào)別名: SP000200139 SPB80N03S203GATMA1
單位重量: 4 g