IR2101STRPBF

• 發(fā)布時間：2023/2/28 14:19:45
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司

IR2101STRPBF屬性

IR2101STRPBF描述

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid IR2101STRPBF
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006004665
包裝說明 SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
風(fēng)險等級 1.13
Samacsys Description High and Low Side Driver SOIC8 Infineon IR2101STRPBF, Dual MOSFET Power Driver, 360mA, 10 → 20 V, Non-Inverting, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2022-06-15 13:46:11
YTEOL 7.8
高邊驅(qū)動器 YES
接口集成電路類型 HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e3
長度 4.9 mm
濕度敏感等級 2
功能數(shù)量 1
端子數(shù)量 8
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
標(biāo)稱輸出峰值電流 0.36 A
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
電源 15 V
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
子類別 MOSFET Drivers
最大供電電壓 20 V
最小供電電壓 10 V
標(biāo)稱供電電壓 15 V
電源電壓1-最大 620 V
電源電壓1-分鐘 5 V
表面貼裝 YES
技術(shù) CMOS
溫度等級 AUTOMOTIVE
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子節(jié)距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
斷開時間 0.22 μs
接通時間 0.22 μs
寬度 3.9 mm

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