IRF200S234

• 發(fā)布時(shí)間：2023/2/28 14:50:07
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司

IRF200S234屬性

IRF200S234描述

參數(shù)名稱 參數(shù)值
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 8292332042
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 9.53
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2021-04-27 05:26:59
雪崩能效等級(jí)（Eas） 693 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 200 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 90 A
最大漏極電流 (ID) 90 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.0169 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-263AB
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
濕度敏感等級(jí) 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 417 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 312 A
表面貼裝 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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