IRF3205ZPBF

• 發(fā)布時(shí)間：2023/2/28 14:52:07
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司

IRF3205ZPBF屬性

IRF3205ZPBF描述

參數(shù)值
源內(nèi)容 uid IRF3205ZPBF
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周刊 積極的
對(duì)象編號(hào) 8006006056
包裝說明 法蘭安裝，R-PSFM-T3
達(dá)成合規(guī)守則 合規(guī)的
原產(chǎn)地 中國大陸
ECCN代碼 EAR99
工廠交貨時(shí)間 56周4天
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 0.9
Samacsys 說明 MOSFET N 溝道 55V 110A HEXFET TO220AB Infineon IRF3205ZPBF N 溝道 MOSFET 晶體管，110 A，55 V，3 針 TO-220AB
Samacsys 制造商 英飛凌
Samacsys 修改日期 2020-11-30 19:47:12
YTEOL 5.2
其他特性 雪崩額定、高可靠性、超低電阻
雪崩能效等級(jí)（Eas） 250兆焦耳
外殼連接 流走
配置 單顆內(nèi)置二極管
最小漏源擊穿電壓 55伏
最大漏極電流 (Abs) (ID) 75 安
最大漏極電流 (ID) 75 安
最大漏源導(dǎo)通電壓 0.0065 歐姆
場效應(yīng)管技術(shù) 金屬氧化物半導(dǎo)體
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代號(hào) e3
元數(shù) 1個(gè)
端子數(shù)量 3個(gè)
工作模式 增強(qiáng)模式
最高工作溫度 175℃
封裝主體材料 塑料/環(huán)氧樹脂
封裝形態(tài) 矩形的
封裝形式 法蘭安裝
極性/信道類型 N溝道
最大效能指數(shù) (Abs) 170 瓦
最大脈搏漏極電流 (IDM) 440安
認(rèn)證狀態(tài) 不合格
子類別 FET 通用電源
表面貼裝 不
端子面層 霧錫鍍鎳
端子形式 通孔
端子位置 單身的
晶體管應(yīng)用 交換
晶體管元材料 硅

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