NTMFS4C06NCT1G

• 發(fā)布時間：2024/12/11 9:08:56
• 所屬類別：模塊 » MOSFET
• 公    司：兆億微波（北京）科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：韓
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NTMFS4C06NCT1G屬性

NTMFS4C06NCT1G描述

技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 11.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.55 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): onsemi
配置: SIngle
下降時間: 3 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 58 S
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時間: 28 ns

NTMFS4C06NCT1G相關(guān)產(chǎn)品

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系列: NSS40300CT   封裝: Reel   封裝: Cut Tape   商標(biāo): onsemi   產(chǎn)品類型

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