NVMFWS2D3N04XMT1G
NVMFWS2D3N04XMT1G屬性
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NVMFWS2D3N04XMT1G描述
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DFN-5
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 121 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.35 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 22.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): onsemi
配置: Single
下降時(shí)間: 4.2 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 89.2 S
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 5.1 ns
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