NVTYS020N08HLTWG
- 發(fā)布時間：2024/12/11 9:17:21
- 所屬類別：模塊 » MOSFET
- 公 司：兆億微波（北京）科技有限公司
- 聯(lián) 系 人：韓
NVTYS020N08HLTWG屬性
- 0
NVTYS020N08HLTWG描述
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LFPAK-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 20 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 12 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: onsemi
配置: Single
下降時間: 5.6 ns
正向跨導 - 最小值: 35 S
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時間: 24.3 mOhms
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聯(lián)系方式
- 聯(lián)系人：韓
- 地 址：北京市海淀區(qū)上地三街9號E座2層
- 郵 編：100085
- 電 話：010-62969548
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