增加額外功耗的同時(shí)保持高幀率Inde-Flux變壓器技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2021/7/11 17:47:50 訪問次數(shù):6425
inde-flux變壓器(部件編號750318659)是würth elektronik eisos利用該專利制造的第一款變壓器,將作為microchip 15w mcp1012離線參考設(shè)計(jì)的組件出售。參考設(shè)計(jì)采用專利隔離技術(shù)用于隔離反饋。這項(xiàng)專利隔離技術(shù)稱為inde-flux變壓器技術(shù),已向würth elektronik eisos公司授權(quán)。
這款變壓器將信號功率和信號通信結(jié)合到一個器件中,無需光反饋或獨(dú)立的信號變壓器。
全新參考設(shè)計(jì)還可以選擇采用更傳統(tǒng)的方法,使用平面脈沖變壓器,與更傳統(tǒng)的光耦合器和信號變壓器一起工作。通過使用該變壓器和microchip新推出的mcp1012 ac-dc控制器以及sam d20系列32位單片機(jī)組合,可實(shí)現(xiàn)次級側(cè)控制。
制造商:diodes incorporated 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(bjt) 安裝風(fēng)格:smd/smt 封裝 / 箱體:sot-26-6 晶體管極性:npn, pnp 配置:dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 vceo:40 v 集電極—基極電壓 vcbo:45 v, 150 v 發(fā)射極 - 基極電壓 vebo:7 v 最大直流電集電極電流:3.5 a pd-功率耗散:1700 mw 增益帶寬產(chǎn)品ft:190 mhz, 270 mhz 最小工作溫度:- 55 c 最大工作溫度:+ 150 c 封裝:cut tape 封裝:mousereel 封裝:reel 直流電流增益 hfe 最大值:300 at 10 ma, 2 v 高度:1.3 mm 長度:3.1 mm 技術(shù):si 寬度:1.8 mm 商標(biāo):diodes incorporated 直流集電極/base gain hfe min:300 at 10 ma, 2 v at npn, 280 at 1 a, 2 v at npn, 40 at 3.5 a, 2 v at npn, 300 at 10 ma, 2 v at pnp, 200 at 1 a, 2 v at pnp, 20 at 3 a, 2 v at pnp 產(chǎn)品類型:bjts - bipolar transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:transistors 單位重量:15 mg
sc910gs及sc410gs成為了國內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)高分辨率its應(yīng)用global shutter圖像傳感器的企業(yè).
通過分辨率提升使攝像頭得以捕捉到更多的影像信息,其中sc410gs可實(shí)現(xiàn)一機(jī)雙車道監(jiān)測,在單車道下人臉與車牌識別率超過90%.
此外,區(qū)域hdr技術(shù)還可在不增加額外功耗的同時(shí)保持高幀率,使its攝像頭能夠自如應(yīng)對日夜工作下的全天光線變化,提升場景適用性。
通過簡化設(shè)計(jì)、減小尺寸和成本,系統(tǒng)與負(fù)載之間的控制可以實(shí)現(xiàn)更加精確和有目的地耦合。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
inde-flux變壓器(部件編號750318659)是würth elektronik eisos利用該專利制造的第一款變壓器,將作為microchip 15w mcp1012離線參考設(shè)計(jì)的組件出售。參考設(shè)計(jì)采用專利隔離技術(shù)用于隔離反饋。這項(xiàng)專利隔離技術(shù)稱為inde-flux變壓器技術(shù),已向würth elektronik eisos公司授權(quán)。
這款變壓器將信號功率和信號通信結(jié)合到一個器件中,無需光反饋或獨(dú)立的信號變壓器。
全新參考設(shè)計(jì)還可以選擇采用更傳統(tǒng)的方法,使用平面脈沖變壓器,與更傳統(tǒng)的光耦合器和信號變壓器一起工作。通過使用該變壓器和microchip新推出的mcp1012 ac-dc控制器以及sam d20系列32位單片機(jī)組合,可實(shí)現(xiàn)次級側(cè)控制。
制造商:diodes incorporated 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(bjt) 安裝風(fēng)格:smd/smt 封裝 / 箱體:sot-26-6 晶體管極性:npn, pnp 配置:dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 vceo:40 v 集電極—基極電壓 vcbo:45 v, 150 v 發(fā)射極 - 基極電壓 vebo:7 v 最大直流電集電極電流:3.5 a pd-功率耗散:1700 mw 增益帶寬產(chǎn)品ft:190 mhz, 270 mhz 最小工作溫度:- 55 c 最大工作溫度:+ 150 c 封裝:cut tape 封裝:mousereel 封裝:reel 直流電流增益 hfe 最大值:300 at 10 ma, 2 v 高度:1.3 mm 長度:3.1 mm 技術(shù):si 寬度:1.8 mm 商標(biāo):diodes incorporated 直流集電極/base gain hfe min:300 at 10 ma, 2 v at npn, 280 at 1 a, 2 v at npn, 40 at 3.5 a, 2 v at npn, 300 at 10 ma, 2 v at pnp, 200 at 1 a, 2 v at pnp, 20 at 3 a, 2 v at pnp 產(chǎn)品類型:bjts - bipolar transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:transistors 單位重量:15 mg
sc910gs及sc410gs成為了國內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)高分辨率its應(yīng)用global shutter圖像傳感器的企業(yè).
通過分辨率提升使攝像頭得以捕捉到更多的影像信息,其中sc410gs可實(shí)現(xiàn)一機(jī)雙車道監(jiān)測,在單車道下人臉與車牌識別率超過90%.
此外,區(qū)域hdr技術(shù)還可在不增加額外功耗的同時(shí)保持高幀率,使its攝像頭能夠自如應(yīng)對日夜工作下的全天光線變化,提升場景適用性。
通過簡化設(shè)計(jì)、減小尺寸和成本,系統(tǒng)與負(fù)載之間的控制可以實(shí)現(xiàn)更加精確和有目的地耦合。
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