TFM201210ALMA電感器的LFPAK56E產(chǎn)品尺寸5mmx6mmx1.1mm
發(fā)布時間:2021/8/15 19:03:27 訪問次數(shù):7086
新型tfm201210alma電感器的安裝面積比tdk的傳統(tǒng)產(chǎn)品tfm201610alma(2.0 mm(長)x1.6 mm(寬)x1.0 mm(高))縮小了約22%。
為了實(shí)現(xiàn)各種汽車控制功能的電氣化、自動駕駛、信息通信等目的,最近ecu的安裝需求有所增加。
電感器除了擁有緊湊的2.0 mm(長)x1.25 mm(寬)尺寸,電感器芯材還采用了tdk獨(dú)有的金屬磁性材料。該薄膜電感器支持從-55°c~+150°c的廣泛工作溫度范圍,達(dá)到行業(yè)最高水平。
此外,它還具有抗機(jī)械應(yīng)力(如樹脂電極結(jié)構(gòu)引起的振動和沖擊)的魯棒性特點(diǎn)。
制造商: on semiconductor
產(chǎn)品種類: mosfet
技術(shù): si
安裝風(fēng)格: smd/smt
封裝 / 箱體: atpak-3
晶體管極性: p-channel
通道數(shù)量: 1 channel
vds-漏源極擊穿電壓: 100 v
id-連續(xù)漏極電流: 28 a
rds on-漏源導(dǎo)通電阻: 75 mohms
vgs - 柵極-源極電壓: - 20 v, + 20 v
vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 v
qg-柵極電荷: 73 nc
最小工作溫度: - 55 c
最大工作溫度: + 150 c
pd-功率耗散: 70 w
通道模式: enhancement
封裝: reel
配置: single
系列: atp301
晶體管類型: 1 p-channel
商標(biāo): on semiconductor
下降時間: 190 ns
產(chǎn)品類型: mosfet
上升時間: 130 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: mosfets
典型關(guān)閉延遲時間: 330 ns
典型接通延遲時間: 32 ns
單位重量: 4 g
新產(chǎn)品非常適合消費(fèi)市場、工業(yè)市場和通信市場的諸多應(yīng)用,如智能揚(yáng)聲器、路由器、電動工具和園藝工具等。
全新psmn4r2-80yse(80 v,4.2 m)和psmn4r8-100yse(100 v,4.8 m)熱插拔asfet采用兼容power-so8的lfpak56e封裝。
該封裝獨(dú)特的內(nèi)部銅夾片結(jié)構(gòu)提高了熱性能與電氣性能,同時大大減小了管腳尺寸。
全新的lfpak56e產(chǎn)品尺寸僅為5 mm x 6 mm x 1.1 mm,與上一代d2pak相比,pcb管腳尺寸和器件高度分別縮小80%和75%。此外,器件的最大結(jié)溫為175 °c,符合ipc9592對電信和工業(yè)應(yīng)用的規(guī)定。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
新型tfm201210alma電感器的安裝面積比tdk的傳統(tǒng)產(chǎn)品tfm201610alma(2.0 mm(長)x1.6 mm(寬)x1.0 mm(高))縮小了約22%。
為了實(shí)現(xiàn)各種汽車控制功能的電氣化、自動駕駛、信息通信等目的,最近ecu的安裝需求有所增加。
電感器除了擁有緊湊的2.0 mm(長)x1.25 mm(寬)尺寸,電感器芯材還采用了tdk獨(dú)有的金屬磁性材料。該薄膜電感器支持從-55°c~+150°c的廣泛工作溫度范圍,達(dá)到行業(yè)最高水平。
此外,它還具有抗機(jī)械應(yīng)力(如樹脂電極結(jié)構(gòu)引起的振動和沖擊)的魯棒性特點(diǎn)。
制造商: on semiconductor
產(chǎn)品種類: mosfet
技術(shù): si
安裝風(fēng)格: smd/smt
封裝 / 箱體: atpak-3
晶體管極性: p-channel
通道數(shù)量: 1 channel
vds-漏源極擊穿電壓: 100 v
id-連續(xù)漏極電流: 28 a
rds on-漏源導(dǎo)通電阻: 75 mohms
vgs - 柵極-源極電壓: - 20 v, + 20 v
vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 v
qg-柵極電荷: 73 nc
最小工作溫度: - 55 c
最大工作溫度: + 150 c
pd-功率耗散: 70 w
通道模式: enhancement
封裝: reel
配置: single
系列: atp301
晶體管類型: 1 p-channel
商標(biāo): on semiconductor
下降時間: 190 ns
產(chǎn)品類型: mosfet
上升時間: 130 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: mosfets
典型關(guān)閉延遲時間: 330 ns
典型接通延遲時間: 32 ns
單位重量: 4 g
新產(chǎn)品非常適合消費(fèi)市場、工業(yè)市場和通信市場的諸多應(yīng)用,如智能揚(yáng)聲器、路由器、電動工具和園藝工具等。
全新psmn4r2-80yse(80 v,4.2 m)和psmn4r8-100yse(100 v,4.8 m)熱插拔asfet采用兼容power-so8的lfpak56e封裝。
該封裝獨(dú)特的內(nèi)部銅夾片結(jié)構(gòu)提高了熱性能與電氣性能,同時大大減小了管腳尺寸。
全新的lfpak56e產(chǎn)品尺寸僅為5 mm x 6 mm x 1.1 mm,與上一代d2pak相比,pcb管腳尺寸和器件高度分別縮小80%和75%。此外,器件的最大結(jié)溫為175 °c,符合ipc9592對電信和工業(yè)應(yīng)用的規(guī)定。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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