基本特性

單結(jié)晶體管的基極b1、b2之間不加電壓時(shí)，發(fā)射極e與兩個(gè)基極間如同一般的晶體二極管，具有單向?qū)щ娦浴Ｈ舭凑請(qǐng)D(a)所示的實(shí)驗(yàn)電路，在基極b2和b1之間接上正向電源go,在發(fā)射極e與第一基極b1之間接上正向電源g。,它將表現(xiàn)出獨(dú)特的性能。首先，電源gn,在硅片的等效電阻rc2、ro1上會(huì)產(chǎn)生電壓降，這會(huì)在a點(diǎn)與第一基極b1之間形成一個(gè)電壓ua,它由等效電阻r和ro,對(duì)gc6的分壓所決定。這時(shí)如果想讓發(fā)射極e、第一基極b1間導(dǎo)通，所加電壓u。必須超過(guò)ua電壓0.7v(硅二極管開(kāi)始導(dǎo)通的正向電壓)才行。當(dāng)u。低于ua時(shí)，發(fā)射極e、第一基極b1之間呈現(xiàn)截止?fàn)顟B(tài)，發(fā)射極電流/。很小；當(dāng)u�！輚a+0.7v時(shí)，e、b1之間立即導(dǎo)通，大量的空穴進(jìn)入n型硅片，降低了a點(diǎn)到第一基極b1之間的電阻ro1。因此，在基極間電阻rc2和ro,上的電壓分布也改變了，結(jié)果u降低，pn結(jié)進(jìn)一步被正向偏置，有更多的空穴進(jìn)入n區(qū)，形成正反饋。于是/。迅速增加，并且由于ro;阻值的迅速減小，e、b1之間的電壓u。也會(huì)迅速下降，其特性曲線如圖(b)所示。因?yàn)殡S著/。的增加使管壓降u反而減小的現(xiàn)象與一般電阻的性質(zhì)(工作電流與電壓成正比關(guān)系)剛好相反，所以我們就稱這一現(xiàn)象為負(fù)阻特性，稱單結(jié)晶體管是一種電流控制型負(fù)阻器件。這種負(fù)阻特性是單結(jié)晶體管與普通晶體二極管的根本區(qū)別所在。

圖單結(jié)晶體管的特性

文章來(lái)源：不可不知的36種電子元器件（第二版）。作者：張曉得東。版權(quán)歸原作者。如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。