主要參數(shù)

單結(jié)晶體管的參數(shù)較多，但最重要的直流參數(shù)是分壓比η(讀“艾塔”)和基極間電阻ro,其次還有耗散功率po2m這一極限參數(shù)等。

①基極間電阻(ro)。這是指在單結(jié)晶體管發(fā)射極e開路的條件下，兩個(gè)基極b1、b2之間的純電阻(即rcb=rbi+roz)。它的大小與管子制造材料有關(guān)，跟測(cè)試時(shí)電流的方向和大小基本無關(guān)，國(guó)產(chǎn)管一般在2～12k2。

②分壓比(η)。這是單結(jié)晶體管發(fā)射極e到第一基極b1之間的電壓(不包括pn結(jié)管壓降),占第二基極b2到第一基極b1之間電壓的比例。η是單結(jié)晶體管很重要的參數(shù)，是一個(gè)由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)所決定的常數(shù)，它與基極間電阻ro,的關(guān)系為：η=ro1/rbo=ro?/(ro+r62)。國(guó)產(chǎn)單結(jié)晶體管的η值在0.3～0.9范圍內(nèi)，一般使用時(shí)，以選取η高的管子為好。

③峰點(diǎn)電壓(u。)與電流(1。)。峰點(diǎn)電壓u,是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極e與第一基極b1間的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流/。,如圖11-3(b)所示。單結(jié)晶體管發(fā)射極電壓u。大于峰點(diǎn)電壓u。,是管子導(dǎo)通的必要條件。峰點(diǎn)電壓u。不是一個(gè)常數(shù)，而是取決于分壓比η和外加電壓uo(基極間工作電壓)的大小，即up=7·ub+0.7v。u。和ub成線性關(guān)系，因此單結(jié)晶體管具有穩(wěn)定的觸發(fā)電壓。國(guó)產(chǎn)單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電流/,一般小于2ma。一個(gè)單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電流/,小，說明它需要的觸發(fā)功率小。

④谷點(diǎn)電壓(u)與電流(l)。谷點(diǎn)電壓u,是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極e與第一基極b1間的電壓，它也是維持單結(jié)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)的最小電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流/,如圖11-3(b)所示。不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓是有所不同的，處于負(fù)阻狀態(tài)的單結(jié)晶體管，當(dāng)發(fā)射極e的電壓u。<u,時(shí)，管子即從負(fù)阻區(qū)跳變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。國(guó)產(chǎn)單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓uv一般小于3.5v,谷點(diǎn)電流人，一般小于1.5ma。

⑤調(diào)制電流(162)。這是指發(fā)射極e處于飽和狀態(tài)時(shí)，從單結(jié)晶體管第二基極b2流過的電流。不同型號(hào)的單結(jié)晶體管，其調(diào)制電流大不相同，國(guó)產(chǎn)管的調(diào)制電流/2一般在3～ 40ma。

⑥耗散功率(p6zm)。這是指單結(jié)晶體管第二基極b2的最大耗散功率。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，使用中單結(jié)晶體管實(shí)際功耗應(yīng)小于p%2m,并留有一定余量，以防管子過熱而損壞。

文章來源：不可不知的36種電子元器件（第二版）。作者：張曉得東。版權(quán)歸原作者。如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。