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是一種igbt模塊，是富士電機(jī)公司生產(chǎn)的一款高性能功率模塊。

該模塊采用了最新的igbt技術(shù)，具有高效率、高可靠性和高集成度等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力、工業(yè)、交通等領(lǐng)域。

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

兩個(gè)igbt芯片、兩個(gè)自由輪二極管芯片和一個(gè)隔離片組成，通過銅基板和金屬封裝組成一個(gè)完整的電路。

igbt芯片和自由輪二極管芯片分別采用了最新的第四代igbt技術(shù)和第三代自由輪二極管技術(shù)，具有高性能、高可靠性和低開關(guān)損耗等優(yōu)點(diǎn)。

隔離片采用了高強(qiáng)度的絕緣材料，可以有效地隔離芯片之間的電流和電壓。

技術(shù)特點(diǎn)

1、高性能

采用了最新的第四代igbt技術(shù)和第三代自由輪二極管技術(shù)，具有高性能、高可靠性和低開關(guān)損耗等優(yōu)點(diǎn)。

igbt芯片和自由輪二極管芯片的導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度都得到了有效的優(yōu)化，可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和更快的開關(guān)速度，從而提高了模塊的效率和可靠性。

2、高可靠性

采用了高強(qiáng)度的隔離片和金屬封裝，可以有效地隔離芯片之間的電流和電壓，從而提高了模塊的可靠性。

此外，模塊還具有過溫、過流、過壓等多種保護(hù)功能，可以有效地保護(hù)模塊和系統(tǒng)的安全。

3、高集成度

采用了銅基板和金屬封裝，可以實(shí)現(xiàn)高密度的集成，從而提高了模塊的功率密度和空間利用率。

此外，模塊還具有多種接口和控制功能，可以實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)集成度和功能性。

參數(shù)

1、額定電壓：1200v

2、額定電流：400a

3、最大工作溫度：150℃

4、最大開關(guān)頻率：20khz

5、封裝形式：模塊化

引腳

1、電源極：vcc、vge

2、電流極：c、e1、e2

3、控制極：g

4、故障信號(hào)：f

包裝

采用模塊化封裝，尺寸為110mm×140mm×30mm，重量約為1kg。模塊的封裝材料采用了高強(qiáng)度的金屬材料，可以有效地保護(hù)模塊和芯片。

總結(jié)

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是一款高性能、高可靠性和高集成度的igbt模塊，具有許多優(yōu)點(diǎn)，如高效率、低開關(guān)損耗、多種保護(hù)功能等。

該模塊廣泛應(yīng)用于電力、工業(yè)、交通等領(lǐng)域，是現(xiàn)代化工業(yè)和交通系統(tǒng)的重要組成部分。