AS4C512M16D3LA-10BCN
宣布其 8 Gb DDR3L 單芯片 SDRAM 的終止供貨日期后，提供原始的 Micron 部件號以及 Alliance Memory 的同等替代品。Alliance AS4C1G8D3LA 和 AS4C512M16D3LA/D3LB 雙芯片 8Gb DDR3L SDRAM 是引腳對引腳插入式替代產(chǎn)品，與單片器件完全兼容，可為現(xiàn)有產(chǎn)品提供長期支持并應(yīng)用于新設(shè)計。
特性 采用 78 焊球和 96 焊球 FBGA 封裝 兩個 4 GB (512M x 8) 芯片堆疊 (DDP) 1866 Mbps 的極高數(shù)據(jù)速率 時鐘頻率為 933 MHz 采用單節(jié) +1.35 V 電源供電，向后兼容至 1.5 V 可用溫度范圍： 商業(yè)級：0°C 至 +95°C 工業(yè)級：-40°C 至 +95°C 支持讀取或?qū)懭脞Оl(fā)長度為 4 或 8 的順序和交錯猝發(fā)類型 自動預(yù)充電功能可在猝發(fā)序列結(jié)束時啟動自定時的行預(yù)充電 易于使用的刷新功能包括自動刷新或自主刷新 符合 RoHS 規(guī)范 無鹵素 一個芯片選擇 應(yīng)用 服務(wù)器 嵌入式設(shè)計 工業(yè) 醫(yī)療 汽車
