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650 V碳化硅肖特基二極管
Vishay的4 A至40 A設備采用合并的PIN肖特基設計
維沙推出具有合并式PIN肖特基（MPS）設計的650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些器件旨在通過降低開關損耗來提高高頻應用的效率，而不受溫度變化的影響，從而使器件可以在更高的溫度下工作。器件的PIN肖特基（PIN Schottky）合并設計可屏蔽肖特基勢壘的電場，以減少漏電流，同時通過空穴注入提高浪涌電流能力。與純硅肖特基器件相比，這些二極管可處理相同水平的電流，而正向壓降僅稍有增加，同時顯示出更高的耐用性，從而為設計人員提供了系統(tǒng)優(yōu)化方面更大的靈活性。它們以2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝提供。
特征
合并PIN肖特基設計
正VF溫度系數(shù)，易于并聯(lián)
溫度不變開關行為
額定電流范圍為4 A至40 A
提供+ 175°C的高溫操作
符合JESD 201 1A級晶須測試
提供2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝
應用領域
反激式電源供應器中的PFC和輸出整流
服務器的LLC轉(zhuǎn)換器
電信設備
UPS
太陽能逆變器
