描述：NTMFS4C05NT1G
MOSFET –電源，單路，
N通道SO-8 FL
30伏，78安
特征：NTMFS4C05NT1G
•低RDS（on）以最小化傳導(dǎo)損耗
•低電容以最大程度減少駕駛員損失
•優(yōu)化的柵極電荷以最小化開關(guān)損耗
•這些設(shè)備無鉛，無鹵素/無溴化阻燃劑，并且符合RoHS要求合規(guī)
應(yīng)用領(lǐng)域：NTMFS4C05NT1G
•CPU供電
•DC-DC轉(zhuǎn)換器
制造商:NTMFS4C05NT1G
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SO-FL-8
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續(xù)漏極電流:
78 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
2.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.3 V
Qg-柵極電荷:
30 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
33 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
系列:
NTMFS4C05N
晶體管類型:
1 N-Channel
商標(biāo):
ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:
68 S
下降時(shí)間:
7 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
32 ns
工廠包裝數(shù)量:
1500
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
21 ns
典型接通延遲時(shí)間:
11 ns
單位重量:
107.200 mg
