雙N溝道30 V（D-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET功率MOSFET
•已通過100％的Rg和UIS測試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
•筆記本電腦系統(tǒng)電源
•低電流DC / DC
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 19.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 14.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: SI4
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 3.9 mm
商標(biāo): Vishay Semiconductors
正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S
下降時(shí)間: 7 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 10 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 15 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7 ns
零件號別名: SI4920DY-T1-E3-S
單位重量: 187 mg
