P通道30V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％汞測試
•材料分類：
應(yīng)用領(lǐng)域：SI4431CDY-T1-GE3
•負荷開關(guān)
•電池開關(guān)
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 38 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.2 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: SI4
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導(dǎo) - 最小值: 18 S
下降時間: 9 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: SI4431CDY-GE3
單位重量: 187 mg
