N溝道30 V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®功率MOSFET
•經(jīng)過100％的Rg和UIS測試
•材料分類：
有關合規(guī)性的定義，請
應用領域：SI4160DY-T1-GE3
• 筆記本
-Vcore低側(cè)
-直流/直流
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 25.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 54 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.7 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SI4
商標: Vishay Semiconductors
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI4160DY-GE3
單位重量: 750 mg
