NTD3055-094T4G正品原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
NTD3055-094T4G封裝：TO-252
NTD3055-094T4G批號(hào)：20+
NTD3055-094T4G品牌：ON/安森美
以下為公司現(xiàn)貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電咨詢(xún)！
TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ， IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ；
MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ， TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ，
MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR , TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI421T ,
MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR ,
PCM1808PWR , TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2G , MC14053BDTR2G , MBRD640CTT4G, TPS7A4001DGNR , TPS7A7001DDAR ,
CS6N70 ,STM32F101VCT6 , XMC1302-T038X0032AB , SC16IS752IBS , PESD5V0X1BCSFYL , BSS131H6327, AW9523BTQR , NSR0530HT1G ,
BSC067N06LS3GATMA1 , MC33078DR2G, BZX384-B5V6，115 , AAT4610IGV-1-T1, 0603ESDA2-TR2 , IRLMS6802TRPBF, AMS1117-5.0V ,
ZXM64N035GTA , RN1317 , IPD600N25N3G , BL5372 , AD9514BCPZ-REEL7 , BQ24314ADSGR , TPS61220DCKR , LM3478MMX , TAS5754MDCAR ,
XC3S50A-4FT256C , TS321QDBVRQ1 , DRV8870DDAR , EPM7128AETC144-7 , EPF10K130EF1484-2 , EP1S80F1020C6 ,
XC4VFX20-10FFG672C , XC4VFX20-10FFG672I , XC5VSX50T-1FFG665I , XC2VP40-6FF1152I , XC5VLX155T-1FFG1136I,
XC7K325T-2FFG900I , XC3S100E-TQG144, XC5VFX100T-2FFG1738I,XC4VFX20-10FF672I , XC3S1600R-4FG320I, AP4306BTTR-G1 ,
SN74LVU04ADBR,BSC057N06 , TS321QDBVRQ1 ,MC79M12CDTRKG,TAS5754MDCAR ,MC79M12CDTRKG, MC79M12CDTRKG ,
PCM1808PWR , TAS5731MPHRR, TPS54202DDCR, TPA3130D2DAPR , TAS5782MDCAR , TPS5548DCAR , TPA3221DDVR, TLV320AIC3254IRHBR ,
TPA3118D2DAPR , PCM5141PWR ,PCM5100APWR.TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ，
IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ，MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ，
TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ， MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR ,
TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI-421T , MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,
MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG , MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR , PCM1808PWR ,
TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2
制造商:
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi):
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-252-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續(xù)漏極電流:
12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
94 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
10.9 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
48 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
2.38 mm
長(zhǎng)度:
6.73 mm
系列:
NTD3055-094
晶體管類(lèi)型:
1 N-Channel
類(lèi)型:
MOSFET
寬度:
6.22 mm
商標(biāo):
ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:
6.7 S
下降時(shí)間:
23.9 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
上升時(shí)間:
32.3 ns
子類(lèi)別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
25.2 ns
典型接通延遲時(shí)間:
7.7 ns
單位重量:
4 g
臺(tái)灣今年將或重回全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)
來(lái)源：工商時(shí)報(bào) 網(wǎng)絡(luò)整理作者：時(shí)間：2021-03-05 09:39
臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)
3月5日消息，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）發(fā)表年度半導(dǎo)體關(guān)鍵布局市場(chǎng)展望，SEMI全球營(yíng)銷(xiāo)長(zhǎng)暨臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，去年以來(lái)，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)氣勢(shì)如虹，成為全球舉足輕重的產(chǎn)業(yè)，過(guò)去10年當(dāng)中有7年是全球最大半導(dǎo)體設(shè)備投資區(qū)域，今年臺(tái)積電資本支出創(chuàng)下新高，SEMI預(yù)期中國(guó)臺(tái)灣今年將重回全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。
SEMI產(chǎn)業(yè)研究總監(jiān)曾瑞榆表示，去年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額約達(dá)690億美元，年增16％寫(xiě)下新紀(jì)錄，預(yù)期今年將再成長(zhǎng)逾10％并突破760億美元，而且有機(jī)會(huì)加速成長(zhǎng)并突破800億美元。事實(shí)上，今年1月北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額超過(guò)30億美元并創(chuàng)下歷史新高，在產(chǎn)能供不應(yīng)求且業(yè)者大動(dòng)作投資擴(kuò)產(chǎn)情況下，未來(lái)幾年將是半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的超級(jí)循環(huán)周期（super cycle）。
曾瑞榆表示，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)有機(jī)會(huì)較去年成長(zhǎng)逾10％，動(dòng)能來(lái)自于晶圓代工及內(nèi)存兩大市場(chǎng)都出現(xiàn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)。晶圓代工市場(chǎng)去年成長(zhǎng)超過(guò)20％，今年再成長(zhǎng)15％應(yīng)沒(méi)有問(wèn)題，主要需求來(lái)自于新冠肺炎疫情帶動(dòng)的數(shù)字轉(zhuǎn)型需求，5G、AI/HPC、物聯(lián)網(wǎng)亦將帶動(dòng)成長(zhǎng)。晶圓代工產(chǎn)能已供不應(yīng)求且會(huì)延續(xù)到下半年，8吋晶圓代工產(chǎn)能吃緊將延續(xù)到明年。
在內(nèi)存市場(chǎng)部份，曾瑞榆指出，今年是DRAM市場(chǎng)景氣反轉(zhuǎn)的一年，手機(jī)用行動(dòng)式DRAM復(fù)蘇比預(yù)期快，大陸手機(jī)廠備貨及出貨預(yù)估樂(lè)觀，蘋(píng)果iPhone銷(xiāo)售強(qiáng)勁，下半年會(huì)有更多5G手機(jī)上市并推升行動(dòng)式DRAM需求。服務(wù)器DRAM、標(biāo)準(zhǔn)型DRAM需求強(qiáng)勁，價(jià)格第一季觸底反轉(zhuǎn)，未來(lái)幾個(gè)季度價(jià)格持續(xù)看漲。
曹世綸則指出，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)運(yùn)看旺，但也面臨地緣政治影響，因?yàn)榈鼐壵尉謩?shì)將加速生產(chǎn)轉(zhuǎn)移與供應(yīng)鏈搬遷步伐，保護(hù)主義興起將推動(dòng)其它地區(qū)制造能力的進(jìn)步，例如去年歐盟多國(guó)決定合資擴(kuò)大在半導(dǎo)體先進(jìn)制程投資。中國(guó)臺(tái)灣需要不斷創(chuàng)新與投資規(guī)模來(lái)增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)，人才為產(chǎn)業(yè)根基且必須解決留才與人才短缺問(wèn)題。
曹世綸對(duì)此提出給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三大建言，一是修習(xí)地緣政治學(xué)分，二是積極參與國(guó)際性組織，三是成為決策者而非被決策者。臺(tái)灣地區(qū)廠商應(yīng)學(xué)習(xí)做全球性的領(lǐng)導(dǎo)者，成為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的制定者及影響者。
