一般說明：GD32F150C8T6
GD32F150C8T6器件屬于 GD32 MCU 系列的價(jià)值線。它是一個(gè) 32 位基于高性能 ARM® Cortex®-M3 RISC 的通用微控制器
在處理能力、降低功耗和外圍集。 Cortex®-M3 是緊耦合的下一代處理器內(nèi)核帶有嵌套向量中斷控制器 (NVIC)、SysTick 計(jì)時(shí)器和高級(jí)調(diào)試支持。
GD32F150C8T6器件集成了 ARM® Cortex®-M3 32 位處理器內(nèi)核在 72 MHz 頻率下，閃存訪問零等待狀態(tài)以獲得最大效率。它
提供高達(dá) 64 KB 的片上閃存和高達(dá) 8 KB 的 SRAM 存儲(chǔ)器。一個(gè)廣泛的連接到兩條 APB 總線的一系列增強(qiáng)型 I/O 和外圍設(shè)備。這些設(shè)備提供了一個(gè)12 位 ADC、一個(gè) 12 位 DAC 和兩個(gè)比較器、最多五個(gè)通用 16 位定時(shí)器、一個(gè)通用 32 位定時(shí)器、基本定時(shí)器、PWM 高級(jí)控制定時(shí)器以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口：多達(dá)兩個(gè) SPI、兩個(gè) I2C、兩個(gè) USART、一個(gè)I2S、HDMI-CEC、TSI 和 USBD。該器件采用 2.6 至 3.6 V 電源供電，溫度范圍為 –40 至 +85 °C溫度范圍。幾種省電模式提供了最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優(yōu)化，一個(gè)特別重要的低功率應(yīng)用中的考慮。上述特點(diǎn)使GD32F150C8T6器件適用于廣泛的應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、用戶界面、功率監(jiān)視器和警報(bào)系統(tǒng)、消費(fèi)類和手持設(shè)備、游戲和 GPS、電動(dòng)自行車等。
功能說明：GD32F150C8T6
3.1. ARM® Cortex®-M3 內(nèi)核
Cortex®-M3 處理器是用于嵌入式的最新一代 ARM® 處理器
系統(tǒng)。它的開發(fā)目的是提供一個(gè)滿足 MCU 需求的低成本平臺(tái)
實(shí)施，具有減少的引腳數(shù)和低功耗，同時(shí)提供
出色的計(jì)算性能和對(duì)中斷的高級(jí)系統(tǒng)響應(yīng)。
32 位 ARM® Cortex®-M3 處理器內(nèi)核
高達(dá) 72 MHz 的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定時(shí)器
Cortex®-M3 處理器基于 ARMv7 架構(gòu)，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系統(tǒng)外圍設(shè)備也由
Cortex®-M3：
內(nèi)部總線矩陣連接 ICode 總線、DCode 總線、系統(tǒng)總線、Private
外設(shè)總線 (PPB) 和調(diào)試訪問 (AHB-AP)
嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
閃存補(bǔ)丁和斷點(diǎn) (FPB)
數(shù)據(jù)觀察點(diǎn)和跟蹤（DWT）
儀器跟蹤宏單元 (ITM)
串行線 JTAG 調(diào)試端口 (SWJ-DP)
跟蹤端口接口單元 (TPIU)
3.2.片上存儲(chǔ)器
高達(dá) 64 KB 的閃存
高達(dá) 8 KB 的 SRAM，帶硬件奇偶校驗(yàn)
ARM® Cortex®-M3 處理器采用哈佛架構(gòu)，可使用
單獨(dú)的總線來獲取指令和加載/存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 64 KB 內(nèi)部閃存和 8
最多 KB 的內(nèi)部 SRAM 可用于存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)，兩者都被訪問
(R/W) 在 CPU 時(shí)鐘速度下為零等待狀態(tài)。表2-2。GD32F150C8T6內(nèi)存
圖為GD32F150C8T6系列器件的內(nèi)存映射，包括代碼、SRAM、
外圍和其他預(yù)定義區(qū)域。
3.3.時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
內(nèi)部 8 MHz 工廠微調(diào) RC 和外部 4 至 32 MHz 晶振
內(nèi)部 40 KHz RC 校準(zhǔn)振蕩器和外部 32.768 KHz 晶體振蕩器
集成系統(tǒng)時(shí)鐘鎖相環(huán)
2.6 至 3.6 V 應(yīng)用電源和 I/O
電源監(jiān)控器：POR（上電復(fù)位）、PDR（掉電復(fù)位）和低電壓
檢測(cè)器 (LVD)
時(shí)鐘控制單元 (CCU) 提供了一系列振蕩器和時(shí)鐘功能。這些
包括高速內(nèi)部RC振蕩器和外部晶體振蕩器，高速和低速
兩種類型。幾個(gè)預(yù)分頻器允許 AHB 和兩個(gè) APB 的頻率配置
域。 AHB 和兩個(gè) APB 域的最大頻率為 72 MHz。見圖
2-6。GD32F150C8T6時(shí)鐘樹，了解時(shí)鐘樹的詳細(xì)信息。
復(fù)位控制單元 (RCU) 控制三種復(fù)位： 系統(tǒng)復(fù)位
處理器內(nèi)核和外圍 IP 組件。上電復(fù)位（POR）和掉電復(fù)位
(PDR) 始終處于活動(dòng)狀態(tài)，并確保從 2.6V 開始到 1.8V 正常運(yùn)行。
當(dāng) VDD 低于指定閾值時(shí)，器件保持在復(fù)位模式。嵌入式
低電壓檢測(cè)器 (LVD) 監(jiān)控電源，將其與電壓閾值進(jìn)行比較
并產(chǎn)生中斷作為警告信息，引導(dǎo) MCU 進(jìn)入安全狀態(tài)。
供電方案：GD32F150C8T6
VDD 范圍：2.6 到 3.6 V，I/O 和內(nèi)部穩(wěn)壓器的外部電源。
通過 VDD 引腳從外部提供。
VSSA、VDDA 范圍：2.6 至 3.6 V，ADC 的外部模擬電源、復(fù)位模塊、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必須分別連接到 VDD 和 VSS。
VBAT range：1.8 至 3.6 V，RTC 電源，外部時(shí)鐘 32 kHz 振蕩器和
當(dāng) VDD 不存在時(shí)備份寄存器（通過電源開關(guān)）。
3.4. 啟動(dòng)模式：GD32F150C8T6
啟動(dòng)時(shí)，引導(dǎo)引腳用于選擇三個(gè)引導(dǎo)選項(xiàng)之一：
從主閃存啟動(dòng)（默認(rèn)）
從系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng)
從片上 SRAM 啟動(dòng)
默認(rèn)情況下，選擇從主閃存引導(dǎo)。 引導(dǎo)加載程序位于
內(nèi)部引導(dǎo) ROM 存儲(chǔ)器（系統(tǒng)存儲(chǔ)器）。 它用于重新編程閃存
通過在設(shè)備中使用 USART0（PA9 和 PA10）或 USART1（PA2 和 PA3、PA14 和 PA15）
模式。
3.5. 省電模式：GD32F150C8T6
MCU支持三種省電模式，實(shí)現(xiàn)更低的功耗
消費(fèi)。 它們是睡眠模式、深度睡眠模式和待機(jī)模式。 這些操作
模式降低功耗并使應(yīng)用程序達(dá)到最佳平衡
CPU 運(yùn)行時(shí)間、速度和功耗之間的關(guān)系。
詳細(xì)參數(shù)：GD32F150C8T6
參數(shù)名稱 參數(shù)值
生命周期聯(lián)系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
訂貨包裝代碼 LQFP48
包裝說明 LQFP-48
達(dá)到合規(guī)代碼未知
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 5.8
最大速度 (MHz) 72
內(nèi)存（字節(jié)） 閃存 64K
內(nèi)存（字節(jié)） SRAM 8K
I/O 高達(dá) 39
定時(shí)器 GPTM（32 位）1
定時(shí)器 GPTM (16 位) 5
定時(shí)器高級(jí) TM (16bit) 1
定時(shí)器基本 TM (16bit) 1
定時(shí)器 SysTick (24 位) 1
定時(shí)器 WDG 2
定時(shí)器 RTC 1
連通性 USART 2
連接 I2C 2
連接 SPI 2
連接 USB 2 FS 1
連接 I2S 1
連通性比較
連接運(yùn)算放大器
模擬接口 12 位 ADC 單元 (CH) 1(10)
模擬接口 12 位 DAC 單元 1
封裝 LQFP48
以下物料均有現(xiàn)貨庫存：GD32F150C8T6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
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GD32F303RGT6
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