一般說明：GD32F107VCT6
GD32F107VCT6器件屬于 GD32 MCU 系列的連接線。它是一個 32 位基于 Arm® Cortex®-M3 RISC 內核的通用微控制器，具有增強連接性能和處理能力方面的最佳比率，降低功耗消費和外設。 Cortex®-M3 是下一代處理器內核與嵌套向量中斷控制器 (NVIC)、SysTick 計時器和高級調試支持。
GD32F107VCT6器件包含 Arm® Cortex®-M3 32 位處理器內核在 108 MHz 頻率下，閃存訪問零等待狀態(tài)以獲得最大效率。它提供高達 1 MB 的片上閃存和 96 KB SRAM 存儲器。范圍廣泛連接到兩條 APB 總線的增強型 I/O 和外圍設備。這些設備最多提供兩個12 位 ADC，最多兩個 12 位 DAC，最多四個通用 16 位定時器，兩個基本定時器外加一個PWM高級控制定時器，以及標準和高級通訊接口：最多三個 SPI，兩個 I2C，三個 USART，兩個 UART，兩個 I
2S，兩個 CAN，一個USBFS 和以太網 MAC。該器件采用 2.6 至 3.6 V 電源供電，溫度范圍為 –40 至 +85 °C溫度范圍。幾種省電模式提供了最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優(yōu)化，一個特別重要的低功率應用中的考慮。上述特性使GD32F107VCT6器件適用于廣泛的互連應用，特別是在工業(yè)控制、電機驅動、電力監(jiān)控和報警系統(tǒng)、消費類和手持設備、POS、車載 GPS、LED顯示屏等
功能說明：GD32F107VCT6
3.1. Arm® Cortex®-M3 內核
Cortex®-M3 處理器是用于嵌入式系統(tǒng)的最新一代 Arm® 處理器。
它的開發(fā)目的是提供一個滿足 MCU 需求的低成本平臺
實施，具有減少的引腳數(shù)和低功耗，同時提供
出色的計算性能和對中斷的高級系統(tǒng)響應。
32 位 Arm® Cortex®-M3 處理器內核
高達 108 MHz 的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定時器
Cortex®-M3 處理器基于 ARMv7 架構，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系統(tǒng)外圍設備也由
Cortex®-M3：GD32F107VCT6
內部總線矩陣連接 ICode 總線、DCode 總線、系統(tǒng)總線、Private
外設總線 (PPB) 和調試訪問 (AHB-AP)
嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
閃存補丁和斷點 (FPB)
數(shù)據(jù)觀察點和跟蹤（DWT）
儀器跟蹤宏單元 (ITM)
內存保護單元（MPU）
串行線 JTAG 調試端口 (SWJ-DP)
跟蹤端口接口單元 (TPIU)
3.2.片上存儲器
高達 1024 KB 的閃存
96 KB SRAM
Arm® Cortex®-M3 處理器采用哈佛架構，可以使用獨立的
總線來獲取指令和加載/存儲數(shù)據(jù)。最多 1024 KB 的內部 Flash 和 96
KB 的內部 SRAM 可用于存儲程序和數(shù)據(jù)，兩者都在
具有零等待狀態(tài)的 CPU 時鐘速度。表2-3。GD32F107VCT6內存映射顯示
GD32F107VCT6系列器件的內存映射，包括代碼、SRAM、外設、
和其他預定義區(qū)域
3.3.時鐘、復位和電源管理
內部 8 MHz 工廠微調 RC 和外部 3 至 25 MHz 晶振
內部 40 KHz RC 校準振蕩器和外部 32.768 KHz 晶體振蕩器
集成系統(tǒng)時鐘鎖相環(huán)
2.6 至 3.6 V 應用電源和 I/O
電源監(jiān)控器：POR（上電復位）、PDR（掉電復位）和低電壓
檢測器 (LVD)
時鐘控制單元 (CCU) 提供了一系列振蕩器和時鐘功能。這些
包括高速內部RC振蕩器和外部晶體振蕩器，高速和低速
兩種類型。幾個預分頻器允許配置 AHB 頻率、高速
APB (APB2) 和低速 APB (APB1) 域。 AHB的最大頻率
高速 APB 域為 108 MHz。低速 APB 域的最大允許頻率為 54 MHz。參見圖 2-5。GD32F107VCT6時鐘樹的詳細信息
時鐘樹。
復位控制單元 (RCU) 控制三種復位： 系統(tǒng)復位 復位處理器
核心和外圍 IP 組件。上電復位 (POR) 和掉電復位 (PDR)
始終處于活動狀態(tài)，并確保從/降至 2.6 V 開始正常運行。設備保持
當 VDD 低于指定閾值時處于復位模式。嵌入式低壓檢測器
(LVD) 監(jiān)控電源，將其與電壓閾值進行比較并生成一個
中斷作為引導 MCU 進入安全狀態(tài)的警告消息。
供電方案：GD32F107VCT6
VDD 范圍：2.6 到 3.6 V，I/O 和內部穩(wěn)壓器的外部電源。
通過 VDD 引腳從外部提供。
VSSA、VDDA 范圍：2.6 至3.6 V，用于 ADC、復位模塊、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必須分別連接到 VDD 和 VSS。
VBAT 范圍：1.8 至 3.6 V，RTC 電源，外部時鐘 32 kHz 振蕩器和
當 VDD 不存在時備份寄存器（通過電源開關）。
3.4. 啟動模式：GD32F107VCT6
啟動時，引導引腳用于選擇三個引導選項之一：
從主閃存啟動（默認）
從系統(tǒng)內存啟動
從片上 SRAM 啟動
引導加載程序位于內部引導 ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）中。 它用于
使用 USART0（PA9 和 PA10）、USART1（PD5 和 PD6）重新編程閃存，
設備模式下的 USBFS（PA9、PA11 和 PA12）。 它還可以用于傳輸和更新
閃存代碼、數(shù)據(jù)和向量表部分。 默認情況下，從
選擇了 Flash 存儲器的 bank 0。 它還支持從閃存的 bank 1 啟動
詳細參數(shù)：GD32F107VCT6
參數(shù)名稱 參數(shù)值
生命周期活躍
訂貨包裝代碼 LQFP100
達到合規(guī)代碼未知
風險等級 5.81
最大速度 (MHz) 108
內存（字節(jié)） 閃存 256K
內存（字節(jié)） SRAM 96K
輸入/輸出高達 80
定時器 GPTM（32 位）
定時器 GPTM (16bit) 4
定時器高級 TM (16bit) 1
Timer Basic TM (16bit) 2
定時器 SysTick (24 位) 1
定時器 WDG 2
定時器 RTC 1
連通性 USART
連接 I2C 1
連接 SPI 3
連接 USB 2 FS OTG
連接 I2S 2
連通性比較
連接運算放大器
模擬接口 12 位 ADC 單元 (CH) 2(16)
模擬接口 12 位 DAC 單元 2
封裝 LQFP100
以下物料均有現(xiàn)貨庫存：GD32F107VCT6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
GD32F350G6U6TR
GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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