一般說明：GD32F303VET6
GD32F303VCT6器件屬于 GD32 MCU 系列的主流產(chǎn)品線。這是一個(gè)新的基于 ARM® Cortex®-M4 RISC 內(nèi)核的 32 位通用微控制器，具有最佳性能在增強(qiáng)處理能力、降低功耗方面的性價(jià)比消費(fèi)和外設(shè)。 Cortex®-M4 內(nèi)核特性實(shí)現(xiàn)了全套 DSP針對(duì)需要高效、易于使用的數(shù)字信號(hào)控制市場(chǎng)的說明控制和信號(hào)處理能力的結(jié)合。它還提供了一個(gè)內(nèi)存保護(hù)單元(MPU) 和強(qiáng)大的跟蹤技術(shù)，用于增強(qiáng)應(yīng)用程序安全性和高級(jí)調(diào)試
支持。
GD32F303VCT6器件集成了 ARM® Cortex®-M4 32 位處理器內(nèi)核在 120 MHz 頻率下，閃存訪問零等待狀態(tài)以獲得最大效率。它提供高達(dá) 3072 KB 的片上 Flash 存儲(chǔ)器和 96 KB SRAM 存儲(chǔ)器。范圍廣泛連接到兩條 APB 總線的增強(qiáng)型 I/O 和外圍設(shè)備。這些設(shè)備最多提供三個(gè)12 位 2.6 MSPS ADC，兩個(gè) 12 位 DAC，最多十個(gè)通用 16 位定時(shí)器，兩個(gè) 16 位 PWM高級(jí)計(jì)時(shí)器和兩個(gè) 16 位基本計(jì)時(shí)器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口：多達(dá)三個(gè) SPI、兩個(gè) I2C、三個(gè) USART 和兩個(gè) UART、兩個(gè)
I2S、USBD、CAN 和 SDIO。該器件采用 2.6 至 3.6 V 電源供電，可在 (–20 至 +85 °C) / (–40至 +85 °C) /（–40 至 +105 °C）溫度范圍。多種省電模式提供喚醒延遲和功耗之間最大優(yōu)化的靈活性，一個(gè)在低功率應(yīng)用中尤其重要。上述特點(diǎn)使GD32F303VCT6器件適用于廣泛的互連和高級(jí)應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)和手持設(shè)備、人機(jī)界面、安全和警報(bào)系統(tǒng)，POS、汽車導(dǎo)航、物聯(lián)網(wǎng)等。
功能說明：GD32F303VCT6
3.1. ARM® Cortex®-M4 內(nèi)核
ARM® Cortex®-M4 處理器是具有 DSP 的高性能嵌入式處理器允許有效信號(hào)處理和復(fù)雜算法執(zhí)行的指令。帶來一種高效、易于使用的控制和信號(hào)處理能力的結(jié)合，以滿足數(shù)字信號(hào)控制市場(chǎng)需求。處理器是高度可配置的，可實(shí)現(xiàn)廣泛的
那些需要浮點(diǎn)運(yùn)算、內(nèi)存保護(hù)和強(qiáng)大的跟蹤技術(shù)可降低需要最小面積的敏感設(shè)備，同時(shí)提供出色的計(jì)算性能和對(duì)中斷的高級(jí)系統(tǒng)響應(yīng)。
32 位 ARM® Cortex®-M4 處理器內(nèi)核
高達(dá) 120 MHz 的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成DSP指令
集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定時(shí)器
Cortex®-M4 處理器基于 ARMv7-M 架構(gòu)，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系統(tǒng)外圍設(shè)備也由
Cortex®-M4：GD32F303VCT6
內(nèi)部總線矩陣連接 ICode 總線、DCode 總線、系統(tǒng)總線、Private
外設(shè)總線 (PPB) 和調(diào)試訪問 (AHB-AP)
嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
閃存補(bǔ)丁和斷點(diǎn) (FPB)
數(shù)據(jù)觀察點(diǎn)和跟蹤（DWT）
儀器跟蹤宏單元 (ITM)
內(nèi)存保護(hù)單元（MPU）
串行線 JTAG 調(diào)試端口 (SWJ-DP)
跟蹤端口接口單元 (TPIU)
浮點(diǎn)單元 (FPU)
3.2.片上存儲(chǔ)器：GD32F303VCT6
高達(dá) 3072 KB 的 Flash 存儲(chǔ)器，包括代碼 Flash 和數(shù)據(jù) Flash
高達(dá) 96 KB 的 SRAM
ARM® Cortex®-M4 處理器采用哈佛架構(gòu)，可使用
單獨(dú)的總線來獲取指令和加載/存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。最多 3072 KB 的內(nèi)部閃存，
其中包括可用于存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的代碼閃存，并被訪問（R/W）
在 CPU 時(shí)鐘速度下，零等待狀態(tài)。還包括一個(gè)額外的數(shù)據(jù)閃存用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
主要是。表 2-3。GD32F303VCT6內(nèi)存映射顯示GD32F303VET6的內(nèi)存
3.3.時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理：GD32F303VCT6
內(nèi)部 8 MHz 工廠微調(diào) RC 和外部 4 至 32 MHz 晶振
內(nèi)部 48 MHz RC 振蕩器
內(nèi)部 40 kHz RC 校準(zhǔn)振蕩器和外部 32.768 kHz 晶體振蕩器
2.6 至 3.6 V 應(yīng)用電源和 I/O
電源監(jiān)控器：POR（上電復(fù)位）、PDR（掉電復(fù)位）和低電壓
檢測(cè)器 (LVD)
時(shí)鐘控制單元 (CCU) 提供了一系列振蕩器和時(shí)鐘功能。這些
包括內(nèi)部RC振蕩器和外部晶體振蕩器，高速和低速兩種
類型。幾個(gè)預(yù)分頻器允許 AHB 和兩個(gè) APB 域的頻率配置。
兩個(gè) AHB 域的最大頻率為 120 MHz。
包括 APB1 在內(nèi)的兩個(gè) APB 域?yàn)?60 MHz，APB2 為 120 MHz，見圖 2-6。
GD32F303VCT6時(shí)鐘樹，了解時(shí)鐘樹的詳細(xì)信息。
復(fù)位控制單元 (RCU) 控制三種復(fù)位： 系統(tǒng)復(fù)位 復(fù)位處理器
核心和外圍 IP 組件。上電復(fù)位(POR) 和掉電復(fù)位 (PDR) 是
始終處于活動(dòng)狀態(tài)，并確保從/降至 2.6 V 開始正常運(yùn)行。設(shè)備保持
當(dāng) VDD 低于指定閾值時(shí)處于復(fù)位模式。嵌入式低壓檢測(cè)器
(LVD) 監(jiān)控電源，將其與電壓閾值進(jìn)行比較并生成一個(gè)
中斷作為引導(dǎo) MCU 進(jìn)入安全狀態(tài)的警告消息。
供電方案：GD32F303VCT6
VDD 范圍：2.6 到 3.6 V，I/O 和內(nèi)部穩(wěn)壓器的外部電源。
通過 VDD 引腳從外部提供。
VSSA、VDDA 范圍：2.6 至 3.6 V，ADC 的外部模擬電源、復(fù)位模塊、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必須分別連接到 VDD 和 VSS。
VBAT 范圍：1.8 至 3.6 V，RTC 電源，外部時(shí)鐘 32 kHz 振蕩器和
當(dāng) VDD 不存在時(shí)備份寄存器（通過電源開關(guān)）。
3.4.啟動(dòng)模式：GD32F303VCT6
啟動(dòng)時(shí)，引導(dǎo)引腳用于選擇三個(gè)引導(dǎo)選項(xiàng)之一：
從主閃存啟動(dòng)（默認(rèn)）
從系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng)
從片上 SRAM 啟動(dòng)
引導(dǎo)加載程序位于內(nèi)部引導(dǎo) ROM 存儲(chǔ)器（系統(tǒng)存儲(chǔ)器）中。它用于
使用 USART0（PA9 和 PA10）重新編程閃存，如果設(shè)備是
GD32F303C/R/GD32F303VCT6/ZG 或 GD32F303R/V/ZI 或GD32F303VCT6/ZK，USART1（PA2 和 PA3）是
也可用于引導(dǎo)功能。它還可以用于傳輸和更新閃存
代碼、數(shù)據(jù)和向量表部分。默認(rèn)情況下，從 Flash 的 bank0 啟動(dòng)
內(nèi)存被選中。它還支持通過設(shè)置一個(gè)位從閃存的 bank1 啟動(dòng)
選項(xiàng)字節(jié)。
3.5.省電模式：GD32F303VCT6
MCU支持三種省電模式，實(shí)現(xiàn)更低的功耗
消費(fèi)。它們是睡眠模式、深度睡眠模式和待機(jī)模式。這些操作
模式降低功耗并使應(yīng)用程序達(dá)到最佳平衡
CPU 運(yùn)行時(shí)間、速度和功耗之間的關(guān)系。
睡眠模式
在睡眠模式下，只有 CPU 內(nèi)核的時(shí)鐘是關(guān)閉的。所有外圍設(shè)備繼續(xù)運(yùn)行并且
任何中斷/事件都可以喚醒系統(tǒng)。
深度睡眠模式
在深度睡眠模式下，1.2 V 域中的所有時(shí)鐘都關(guān)閉，所有高速
晶體振蕩器（IRC8M、HXTAL）和 PLL 被禁用。只有 SRAM 的內(nèi)容和
寄存器被保留。來自 EXTI 線路的任何中斷或喚醒事件都可以喚醒
系統(tǒng)從深度睡眠模式包括 16 條外線、RTC 報(bào)警、
LVD 輸出和 USB 喚醒。當(dāng)退出深度睡眠模式時(shí)，IRC8M 是
選作系統(tǒng)時(shí)鐘。
待機(jī)模式
在待機(jī)模式下，整個(gè) 1.2V 域斷電，LDO 關(guān)閉，所有的
IRC8M、HXTAL 和 PLL 被禁用。 SRAM 和寄存器的內(nèi)容（除了
備份寄存器）丟失。待機(jī)模式有四個(gè)喚醒源，
包括來自 NRST 引腳的外部復(fù)位、RTC、FWDG 復(fù)位和上升沿
WKUP 引腳上的邊緣。
3.6.模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)：GD32F303VCT6
12 位 SAR ADC 的轉(zhuǎn)換速率高達(dá) 2.6 MSPS
12 位、10 位、8 位或 6 位可配置分辨率
硬件過采樣率從 2 到 256x 可調(diào)，將分辨率提高到 16 位
輸入電壓范圍：VSSA 至 VDDA（2.6 至 3.6 V）
溫度傳感器
該器件中集成了多達(dá)三個(gè) 12 位 2.6 MSPS 多通道 ADC。它共有
18個(gè)復(fù)用通道：16個(gè)外部通道，1個(gè)內(nèi)部溫度傳感器通道
(VSENSE) 和 1 個(gè)通道用于內(nèi)部參考電壓 (VREFINT)。輸入電壓范圍為
介于 2.6 V 和 3.6 V 之間。片上硬件過采樣方案提高了性能
同時(shí)減輕 CPU 的相關(guān)計(jì)算負(fù)擔(dān)。一個(gè)模擬看門狗塊
可用于檢測(cè)需要保持在特定閾值內(nèi)的通道
窗戶�？膳渲玫耐ǖ拦芾韷K可用于在
單次、連續(xù)、掃描或不連續(xù)模式以支持更高級(jí)的使用。
GD32F303VCT6數(shù)據(jù)表44
ADC 可由通用 0 級(jí)定時(shí)器 (TIMERx) 生成的事件觸發(fā)
以及具有內(nèi)部連接的高級(jí)定時(shí)器（TIMER0 和 TIMER7）。氣溫
傳感器可用于產(chǎn)生隨溫度線性變化的電壓。它是內(nèi)部
連接到ADC_IN16輸入通道，用于轉(zhuǎn)換傳感器輸出電壓
在一個(gè)數(shù)字值。
詳細(xì)參數(shù)：GD32F303VCT6
參數(shù)名稱 參數(shù)值
生命周期聯(lián)系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
訂貨包裝代碼 LQFP100
包裝說明 LQFP-100
達(dá)到合規(guī)代碼未知
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 5.82
最大速度 (MHz) 120
內(nèi)存（字節(jié)） 閃存 256K
內(nèi)存（字節(jié)） SRAM 48K
輸入/輸出高達(dá) 80
定時(shí)器 GPTM（32 位）
定時(shí)器 GPTM (16bit) 4
定時(shí)器高級(jí) TM (16bit) 2
Timer Basic TM (16bit) 2
定時(shí)器 SysTick (24 位) 1
定時(shí)器 WDG 2
定時(shí)器 RTC 1
連通性 USART
連接 I2C 2
連接 SPI 3
連接 USB 2 FS 1
連接 I2S 2
連通性比較
連接運(yùn)算放大器
模擬接口 12 位 ADC 單元 (CH) 3(16)
模擬接口 12 位 DAC 單元 2
封裝 LQFP100
以下物料均有現(xiàn)貨庫存：GD32F303VCT6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
GD32F350G6U6TR
GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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GD32F303VCT6
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