TAJE337K010RNJ_TAJE337K010RNJ導(dǎo)讀
R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個強烈的負(fù)反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數(shù)值。這個數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié)。
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TAJD337K010RNJ
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現(xiàn)隔離，同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導(dǎo)通。
必要的時候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。。
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TLJA227M004R1100
在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
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NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。
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