TAJE476K025RNJ_TAJE476K025RNJ導(dǎo)讀
內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱�。�。這個內(nèi)阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，如熱阻）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內(nèi)阻，也就是導(dǎo)通電阻。
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TAJD157K016RNJ
Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實(shí)現(xiàn)隔離，同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導(dǎo)通。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。
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TLJP476M006R0900
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。
MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導(dǎo)體 (semiconductor) 場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 (insulator) — 半導(dǎo)體。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓MOS管。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
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NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
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