MAX4781EUE+T_SSOP導(dǎo)讀
當(dāng)前,芯片市場(chǎng)需求分化加。阂环矫妫M(fèi)級(jí)芯片需求萎靡迫使渠道商開始清庫存,前期被爆炒的部分芯片,渠道價(jià)格開始回落;另一方面,汽車電子、工控、光伏逆變器等功率半導(dǎo)體的供應(yīng)依然緊張,部分國內(nèi)廠商近期還對(duì)功率產(chǎn)品進(jìn)行了小幅漲價(jià)。
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MMPF0100F0AEP
ADI 采用硅技術(shù)的新型高功率開關(guān)為 RF 設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)架構(gòu)師提供了提高其系統(tǒng)復(fù)雜度的靈活性,且不會(huì)讓 RF 前端成為其設(shè)計(jì)瓶頸。ADI 采用硅技術(shù)的新型高功率開關(guān)專為簡化 RF 前端設(shè)計(jì)而研發(fā),免除外圍電路的需要并將功耗降至可忽略不計(jì)的水平。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
但在本土芯片公司實(shí)力提升、產(chǎn)業(yè)鏈上下游競爭開始變得更加有序、車載新能源等新興需求拉動(dòng)、全球半導(dǎo)體產(chǎn)能增長緩慢等因素影響下,預(yù)計(jì)不會(huì)出現(xiàn)原廠芯片大幅降價(jià)的現(xiàn)象。
在此類系統(tǒng)的 RF 前端部分仍然需要實(shí)現(xiàn)類似的集成,意在降低功耗 (以改善熱管理) 和縮減尺寸(以降低成本),從而容納更多的 MIMO 通道。高度集成的單芯片射頻收發(fā)器解決方案 (例如,ADI 新推出的 ADRV9008/ADRV9009產(chǎn)品系列) 的面市促成了此項(xiàng)成就。
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SOT
它們依靠單 5 V 電源供電運(yùn)行,偏置電流小于 1 mA,并且不需要外部組件或接口電路。ADI 的新款高功率硅開關(guān)更適合大規(guī)模 MIMO 設(shè)計(jì)。
該開關(guān)功能可直接在天線接口上使用 (在功率相對(duì)較低的系統(tǒng)中,如圖 1 所示),或在接收路徑中使用 (針對(duì)較高功率應(yīng)用,如圖 2 所示),以保證正確接至雙工器。在開關(guān)輸出上設(shè)有一個(gè)并聯(lián)支路將有助改善隔離性能。時(shí)分雙工 (TDD) 系統(tǒng)中,天線接口納入了開關(guān)功能,以隔離和保護(hù)接收器輸入免受發(fā)送信號(hào)功率的影響。
N型MOS管應(yīng)用的場(chǎng)景更多,相比于比P型MOS管,其優(yōu)點(diǎn)如下 1、開關(guān)速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個(gè)簡單的引用電路,當(dāng)G端通入高電平,MOS管D、S間導(dǎo)通,此時(shí)MOS管導(dǎo)通,電機(jī)的電流得以通過,電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)G端為低電平的時(shí)候,D、S間無法導(dǎo)通,電機(jī)也就無法運(yùn)行。。
在特高壓輸電領(lǐng)域,亟需解決能源從發(fā)電到用電的傳輸安全與穩(wěn)定難題。新興的能源物聯(lián)網(wǎng)正給傳統(tǒng)電網(wǎng)注入“新動(dòng)能”,助力電網(wǎng)向智能電網(wǎng)的升級(jí)。
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這款3.3 V電源電壓產(chǎn)品包括3個(gè)基于ADXL1002的測(cè)量鏈、1個(gè)溫度傳感器、1個(gè)處理器和1個(gè)FIFO。
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