640717-1_TYC導(dǎo)讀
事實(shí)上，近些年隨著AI在物聯(lián)網(wǎng)的滲透和邊緣計(jì)算能力的增強(qiáng)，MEMS傳感器憑借體積小、重量輕、功耗低、可靠性高、靈敏度高等一系列優(yōu)點(diǎn)，正逐漸成為微型傳感器的主力軍，大有取代傳統(tǒng)機(jī)械傳感器的趨勢。
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MIMO 架構(gòu)允許放寬對放大器和開關(guān)等構(gòu)建模塊的 RF 功率要求。然而，隨著并行收發(fā)器通道數(shù)目的增加，外圍電路的復(fù)雜性和功耗也相應(yīng)升高。
因此，自動駕駛領(lǐng)域的導(dǎo)航系統(tǒng)精度無法只通過高精度衛(wèi)星來保障，基于MEMS傳感器技術(shù)的慣性測量單元(IMU)才是保障自動駕駛的最后一道屏障。
ADI 采用硅技術(shù)的新型高功率開關(guān)專為簡化 RF 前端設(shè)計(jì)而研發(fā)，免除外圍電路的需要并將功耗降至可忽略不計(jì)的水平。ADI 采用硅技術(shù)的新型高功率開關(guān)為 RF 設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)架構(gòu)師提供了提高其系統(tǒng)復(fù)雜度的靈活性，且不會讓 RF 前端成為其設(shè)計(jì)瓶頸。
在此類系統(tǒng)的 RF 前端部分仍然需要實(shí)現(xiàn)類似的集成，意在降低功耗 (以改善熱管理) 和縮減尺寸(以降低成本)，從而容納更多的 MIMO 通道。高度集成的單芯片射頻收發(fā)器解決方案 (例如，ADI 新推出的 ADRV9008/ADRV9009產(chǎn)品系列) 的面市促成了此項(xiàng)成就。
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TYC
N型MOS管應(yīng)用的場景更多，相比于比P型MOS管，其優(yōu)點(diǎn)如下 1、開關(guān)速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個(gè)簡單的引用電路，當(dāng)G端通入高電平，MOS管D、S間導(dǎo)通，此時(shí)MOS管導(dǎo)通，電機(jī)的電流得以通過，電機(jī)轉(zhuǎn)動。。當(dāng)G端為低電平的時(shí)候，D、S間無法導(dǎo)通，電機(jī)也就無法運(yùn)行。
與基于 PIN 二極管的開關(guān)相比，硅開關(guān)所占用的 PCB 面積不到其 1/10。并排對比了單層 PCB 設(shè)計(jì)上基于 PIN 二極管的開關(guān)和新型硅開關(guān)的印刷電路板 (PCB) 原圖。它簡化了電源要求，且不需要高功率電阻器。
ADI 基于長期積累的汽車電氣化廣泛經(jīng)驗(yàn)，通過提供更低排放、更高效率、更高可靠性和安全性的解決方案，讓電池管理、動力總成和信息娛樂等系統(tǒng)保持高性能的同時(shí)變得更小、更輕、更可靠，推動更環(huán)保高效的未來汽車早日落地。新基建解決了充電基礎(chǔ)設(shè)施的短缺, 同時(shí)在環(huán)保需求與政策利好的刺激下，新能源車在2020年迎來普及潮。
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