LD1117AL-SOT223R-33-CTG_UTC代理商導(dǎo)讀
超低啟動(dòng)電流（<5uA），超低靜態(tài)電流（0.8mA）。具備欠壓保護(hù)（UVP）、過(guò)壓保護(hù)（OVP）， VCC 嵌位、過(guò)載保護(hù)（OLP）過(guò)溫度保護(hù)（OTP）、過(guò)電流保護(hù)（OCP）。
U74HC14芯片采用的是DIP-14、SOP-14以及TSSOP-14三種方式進(jìn)行封裝包裹。
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2N65L-TO251T-TG
功率半導(dǎo)體器件又可根據(jù)對(duì)電路信號(hào)的控程度分為全型 、半控型及不可；或按驅(qū)動(dòng)電路信號(hào) 性質(zhì)分為電壓驅(qū)動(dòng)型 、電流驅(qū)動(dòng)型等劃分類別 電流驅(qū)動(dòng)型等劃分類別 電流驅(qū)動(dòng)型等劃分類別 。
LR1148G-SC59.5R-AD-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATGQ LD2117AG-SOT223R-AD-ATG 2SD669AL-TO252R-D-TG UG9KG-SOT363R-TG 。
82N30G-SC59.3R-5TG LM393G-SOP8R-TG 2N7002ZDWG-SOT363L-TEG TL431G-TO92B-ATTG 75232G-TSSOP20R-TW2G 。
為了避免上述誤動(dòng)作發(fā)生，推薦VCC 電容盡量不要采用過(guò)低值，VCC電容值越大，待機(jī)功耗越低�？蛻舨槐�?fù)?dān)心VCC 電容偏高導(dǎo)致系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)問(wèn)題，因?yàn)镮C 本身含有高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)，具有大電流恒流充電特性。。
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UTC代理商
SB360G-DO201ADB-TG U74HC00G-SOP14R-TG U74LVC2G04G-SOT363R-TG 8133G-SC59.3R-2TSG 2SA1015L-TO92B-BL-TG 。
這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理（詳細(xì)請(qǐng)關(guān)注作者其他MOS詳解）。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。在開(kāi)關(guān)電源中，如漏極開(kāi)路電路，漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。
。其具有高壓?jiǎn)?dòng)功能，方便客戶滿足待機(jī)效率的六級(jí)能效設(shè)計(jì)。UCS165XS 是一款最新的PWM IC，利用混合操作模式（PWM/PFM/Burst）達(dá)到高效率，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。
9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
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軟啟動(dòng)Phase 結(jié)束后，若Vout 未達(dá)到輸出設(shè)定值Vo，則IC 以大占空比繼續(xù)上電直至上電完畢，VFB 降低進(jìn)入正常環(huán)路調(diào)節(jié)電壓范圍1.35~4.2V；軟啟動(dòng)Phase 期間，若Vout 達(dá)到輸出設(shè)定值Vo，則VFB 降低進(jìn)入正常環(huán)路調(diào)節(jié)電壓范圍1.35~4.2V，環(huán)路PWM 由VFB 控制直至上電完畢，；。
由于FB 為補(bǔ)償腳位，因此建議補(bǔ)償電容采用X7R 系列，以便抑制容值溫漂產(chǎn)生的影響問(wèn)題。FB 為光耦輸出端，在IC 內(nèi)部接上拉電阻RFB=23kohm 到內(nèi)部電源5.6V。FB 腳位補(bǔ)償電容有利于環(huán)路穩(wěn)定。
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