LM339G-SOP14R-TG_UTC代理商導(dǎo)讀
。同時(shí)，U74HC165芯片共有兩個(gè)封裝，分別是SOP-16和TSSOP-16。
啟動(dòng)電容建議選用電解電容（供電）和SMD 陶瓷電容（高頻濾波）并聯(lián)配套使用，啟動(dòng)電容可選2.2~10uF 的電容，SMD 陶瓷選用100nF。
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13NM65L-TO220F1T-TGSH
不同功率半導(dǎo)體器件 ，其承受電壓 、電流容量 、阻抗能力 、體積大小等特性也會(huì)不同 ，實(shí)際使用中 ， 需要根據(jù)不同領(lǐng)域 、不同需求來選用合適的器件。
為了避免上述誤動(dòng)作發(fā)生，推薦VCC 電容盡量不要采用過低值，VCC電容值越大，待機(jī)功耗越低�？蛻舨槐�?fù)?dān)心VCC 電容偏高導(dǎo)致系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間過長(zhǎng)問題，因?yàn)镮C 本身含有高壓?jiǎn)?dòng)開關(guān)，具有大電流恒流充電特性。。
（2）根據(jù)不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi)； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi)； SJ MOS：超結(jié)MOS，主要在高壓領(lǐng)域 600-800V；。（1）主要選型參數(shù)：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續(xù)漏電流，RDS(on) 導(dǎo)通電阻，Ciss 輸入電容（結(jié)電容），品質(zhì)因數(shù)FOM=Ron * Qg等。
半導(dǎo)體行業(yè)從誕生至今 ，先后經(jīng)歷了三代材料的變更程 ，截至目前 ，功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域仍主要采 用以 Si 為代表的第一半導(dǎo)體材料 。
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UTC代理商
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
這就是MOS管做開關(guān)器件的原理（詳細(xì)請(qǐng)關(guān)注作者其他MOS詳解）。是理想的模擬開關(guān)器件。在開關(guān)電源中，如漏極開路電路，漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。
U74AUP1G57G-SOT363R-TG ULN2003G-SOP16R-TW5G U74LVC1G14G-SOT353R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-DTG U74LVC1G08G-SC59.5R-TG 。
U74LVC1G86G-SOT23.5R-TG 78L09MG-SOT89R-TG U74HC595AG-SOP16R-TG UPC817CG-LSOP4R-TG UT2305G-SC59.3R-TZ0G 。
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HJ44H11L-TO252R-TG ULN2003G-SOP16R-TW2G MJE13003L-TO92B-B-TGP TDA2030AL-TO220BT-TG U74AHC1G08G-SOT353R-TG 。
IC 內(nèi)部所有功能塊開始工作，之后的時(shí)間里Drain 腳位僅受內(nèi)部功率管控制。
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