K4ABG165WA-MCTD四代32GB雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
密度
32 Gb
Org。
2G × 16
速度
2666 Mbps
電壓
1.2 V
Temp。
0 ~ 85℃
包
96年fbga
產(chǎn)品狀態(tài)
大規(guī)模生產(chǎn)
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1.2V (1.14V-1.26V)
VDDo = 1.2V (1.14V-1.26V) 800mhz fk為1600Mb/sec/pin, 933mhz fk為1866Mb/sec/pin, 1067mhz fck為2133Mb/sec/pin, 1200MHz fck為2400Mb/sec/pin, 1333mhz fck為2666Mb/sec/pin, 1467MHz fck為2933Mb/sec/pin。1600MHz頻率為3200Mb/秒/引腳
16家銀行(4家銀行集團)
可編程CAS延遲(張貼CAS)
10.11.12.13.14.15.16, 17.18, 19.20, 22.24 21日
延遲:0,CL-2或CL-1時鐘
可編程CAS寫時延(CWL)= 9,11 (DDR4-1600)10.12(DDR4-1866)，11,14(DDR4-2133)，12,16(DDR4-2400)，14,18(DDR42666)和16,20(ddr4 -2933,3200)
8位預(yù)取
突發(fā)長度:8,4,tCCD = 4，不允許無縫讀寫[使用A12或MRS]
雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)頻閃
16Gb DDR4 SDRAM a -die被組織為256Mbit × 4 I/ o 16banks或128Mbit × 8 I/ o × 16banks設(shè)備。該同步設(shè)備實現(xiàn)高速雙數(shù)據(jù)速率傳輸速率高達3200Mb/secpin (DDR4-3200)，適用于一般應(yīng)用。
該芯片設(shè)計符合以下關(guān)鍵DDR4 SDRAM功能，如貼出CAS，可編程CWL，內(nèi)部(自)校準(zhǔn)。使用ODT引腳和異步復(fù)位的芯片終止。
所有的控制和地址輸入與一對外部供應(yīng)的差分時鐘同步。輸入鎖存于差分時鐘的交叉點(CK上升和CK下降)。所有I/ o都以源同步方式與一對雙向頻閃(DOS和DOS)同步。地址總線用于以RAS/CAS多路復(fù)用方式傳遞行、列和銀行地址信息。DDR4器件采用單路1.2V (1.14V~1.26V)電源和1.2V (1.14V~1.26V)電源工作。16Gb DDR4 A-die器件提供78ball FBGAs(x4/x8)。
內(nèi)部(自)校準(zhǔn):通過ZQ引腳進行內(nèi)部自校準(zhǔn)
(RZQ: 240歐姆:1%)
使用ODT引腳的模具端接
平均刷新周期7.8us低于TcAsE 85°C, 3.9us
85°c < tcase < 95c
支持連接測試模式(TEN)
異步復(fù)位
包裝:78個球FBGA - X4/x8
所有無鉛產(chǎn)品均符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
所有產(chǎn)品均不含鹵素
CRC(循環(huán)冗余校驗)用于讀寫數(shù)據(jù)的安全性
命令地址奇偶校驗
數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)
減速模式
POD (Pseudo Open Drain)數(shù)據(jù)輸入/輸出接口
數(shù)據(jù)輸入的內(nèi)部VREF
DRAM激活電源外部VPP
支持PPR和sPPR
