H5AN4G4NBJR-xxC
H5AN4G8NBJR-xxC
H5AN4G6NBJR-xxC
H5AN4G8NBJR-xxI
H5AN4G6NBJR-xxI
描述
H5AN4G4NBJR-xxC, H5AN4G8NBJR-xxC, H5AN4G6NBJR-xxC, H5AN4G8NBJR-xxI, H5AN4G6NBJR-xxI
是4Gb CMOS雙數(shù)據(jù)速率IV (DDR4)同步DRAM，非常適合主存儲(chǔ)器
需要大內(nèi)存密度和高帶寬的應(yīng)用。SK海力士提供4Gb DDR4 dram
參考時(shí)鐘上升沿和下降沿的完全同步操作。而所有地址
和控制輸入鎖存于CK的上升沿(CK的下降沿)，數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)頻閃
寫(xiě)入數(shù)據(jù)掩碼輸入在其上升沿和下降沿上采樣。數(shù)據(jù)路徑內(nèi)部管道和8位預(yù)取，以實(shí)現(xiàn)非常高的帶寬。
H5AN4G6NBJR-VKC1. 工作溫度TOPER是DRAM中央/頂部的外殼表面溫度。要測(cè)量條件，請(qǐng)參考JEDEC文件JESD51-2。
2. “正常溫度范圍”指定支持所有DRAM規(guī)格的溫度。
在運(yùn)行過(guò)程中，在所有運(yùn)行條件下，DRAM機(jī)箱溫度必須保持在0 - 85℃之間。
3.工業(yè)溫度范圍指定支持所有DRAM規(guī)格的溫度。
在運(yùn)行過(guò)程中，在所有運(yùn)行條件下，DRAM機(jī)箱溫度必須保持在-40 - 85℃之間。
4. 一些應(yīng)用需要在85℃到95℃的擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)運(yùn)行DRAM
情況下溫度。在此范圍內(nèi)保證全部規(guī)格，但適用以下附加條件:
a.刷新命令的頻率必須提高一倍，從而將刷新間隔tREFI降低到3.9µs。它是
也可以在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)指定具有1X刷新(tREFI至7.8µs)的組件。
b.如果在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)需要進(jìn)行自刷新操作，則必須使用其中一種
具有擴(kuò)展溫度范圍能力的手動(dòng)自刷新模式(MR2 A6 = 0b和MR2 A7 = 1b)
或啟用可選的自動(dòng)刷新模式(mr2a6 = 1b和mr2a7 = 0b)。
