STO68N65DM6

製造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-LL-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 55 A
Rds On - 漏-源電阻: 65 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.75 V
Qg - 閘極充電: 80 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 240 W
通道模式: Enhancement
系列: MDmesh DM6
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 7.5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
原廠包裝數(shù)量: 1800
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 69 ns
標準開啟延遲時間: 23 ns
每件重量: 697 mg