NTBG014N120M3P

製造商: onsemi
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: D2PAK-7L
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Id - C連續(xù)漏極電流: 104 A
Rds On - 漏-源電阻: 20 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 22 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 4.63 V
Qg - 閘極充電: 337 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 454 W
通道模式: Enhancement
系列: NTBG014N120M3P
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
下降時(shí)間: 14 ns
互導(dǎo) - 最小值: 29 S
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 40 ns
原廠包裝數(shù)量: 800
子類(lèi)別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 74 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 24 ns