IMYH200R012M1HXKSA1

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 2 kV
Id - C連續(xù)漏極電流: 123 A
Rds On - 漏-源電阻: 16.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.5 V
Qg - 閘極充電: 246 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 552 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolSIC
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 24 ns
互導(dǎo) - 最小值: 30 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 13 ns
原廠包裝數(shù)量: 240
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 50 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 16 ns
零件號(hào)別名: IMYH200R012M1H SP005427368