NTHL022N120M3S

製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Id - C連續(xù)漏極電流: 68 A
Rds On - 漏-源電阻: 30 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.4 V
Qg - 閘極充電: 139 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 352 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: onsemi
下降時(shí)間: 14 ns
互導(dǎo) - 最小值: 34 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 50 ns
原廠包裝數(shù)量: 30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 44 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 19 ns
至少選中以上一個(gè)核取方塊以顯示在此類別中類似的產(chǎn)品。 顯示類似項(xiàng)
所選屬性: 0
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