制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 102 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 455 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
系列: IXTP102N15
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 22 ns
高度: 9.15 mm
長(zhǎng)度: 10.66 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 14 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
寬度: 4.83 mm
單位重量: 2 g
IXTP60N20T
IXTP64N055T
IXTP90N055T2
IXTP76N075T
IXTP90N075T2
IXTP76N25T
IXTP80N10T
IXTP86N20T
IXTP90N15T
IXTP98N075T
IXTP120N075T2
