制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 210 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 22 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 9 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 30 ns
50
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns
典型接通延遲時(shí)間: 18 ns
單位重量: 2 g
IXTA4N65X2
IXTA4N70X2
IXTA8N65X2
IXTA8N70X2
IXTH12N65X2
IXTH12N70X2
IXTH20N65X2
IXTH24N65X2
IXTH34N65X2
